RS1FD-M3/I
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Deutsch
Artikelnummer: | RS1FD-M3/I |
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Hersteller / Marke: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 200V 1A DO219AB |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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30000+ | $0.0483 |
50000+ | $0.047 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25 V @ 1 A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 200 V |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | DO-219AB (SMF) |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Serie | - |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 500 ns |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Verpackung / Gehäuse | DO-219AB |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 5 µA @ 200 V |
Strom - Richt (Io) | 1A |
Kapazität @ Vr, F | 5pF @ 4V, 1MHz |
DIODE GEN PURP 400V 1A DO219AB
DIODE GEN PURP 400V 1A DO219AB
DIODE GEN PURP 600V 1A DO219AB
DIODE GEN PURP 600V 1A DO219AB
RS1E350BNFU7TB ROHM
MOSFET N-CH 30V 35A 8HSOP
DIODE GEN PURP 200V 1A DO219AB
MOSFET N-CH 30V 35A/80A 8HSOP
DIODE GEN PURP 800V 1A DO219AB
DIODE GEN PURP 400V 1A DO219AB
MOSFET N-CH 30V 32A 8HSOP
DIODE GEN PURP 200V 1A DO219AB
DIODE GEN PURP 200V 1A DO219AB
NCH 30V 80A POWER MOSFET: RS1E35
MOSFET N-CH 30V 32A/80A 8HSOP
RS1E350BN QQ2850920316
DIODE GEN PURP 400V 1A DO219AB
DIODE GEN PURP 800V 1A DO219AB
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() RS1FD-M3/IVishay General Semiconductor - Diodes Division |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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